BSS127H6327XTSA2 vs BSD235CH6327XTSA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSS127H6327XTSA2 por Infineon e BSD235CH6327XTSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSS127H6327XTSA2 BSD235CH6327XTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,03 $0,12
FET Type N-Channel SIPMOS, enhancement mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
Continuous Drain Current (ID) 21 mA (Ta) —
Pulsed Drain Current (ID,pulse) [DATA_NEEDED: pulsed ID limit] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4.5 V (logic level, rated) —
On-State Resistance (RDS(on)) max 500 ohm at ID = 21 mA —
Total Power Dissipation (Ptot) 500 mW (Ta) 500 mW
Temperatura de junção de operação -55 C to +150 C —
Encapsulamento SOT-23-3 (PG-SOT23) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Contagem de pinos 3 6
dv/dt Rated Yes —
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Status RoHS Compliant (lead-free) Compliant (lead-free)
Livre de halogênio Yes, per IEC 61249-2-21 —
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — OptiMOS™
Configuration — N+P complementary dual MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 20 V
N-Channel Continuous Drain Current (ID) — 950 mA
P-Channel Continuous Drain Current (ID) — 530 mA (negative polarity)
Package Type — PG-SOT363-6-1 (SOT-363, 6-pin)
Technology — OptiMOS™ low-voltage
Faixa de temperatura de operação — -55 °C to +150 °C (junction)
Polarity — N-channel + P-channel
Channel Mode — Enhancement

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação