BSS127H6327XTSA2 vs BSS126H6327XTSA2 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSS127H6327XTSA2 von Infineon und BSS126H6327XTSA2 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSS127H6327XTSA2 BSS126H6327XTSA2
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,03 $0,32
FET Type N-Channel SIPMOS, enhancement mode N-Channel Depletion Mode
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
Continuous Drain Current (ID) 21 mA (Ta) —
Pulsed Drain Current (ID,pulse) [DATA_NEEDED: pulsed ID limit] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4.5 V (logic level, rated) —
On-State Resistance (RDS(on)) max 500 ohm at ID = 21 mA —
Total Power Dissipation (Ptot) 500 mW (Ta) —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55 C to +150 C —
Gehäuse SOT-23-3 (PG-SOT23) SOT-23-3 (PG-SOT23)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Pin-Anzahl 3 3
dv/dt Rated Yes —
Automotive Qualification AEC-Q101 —
RoHS-Status Compliant (lead-free) Compliant
Halogenfrei Yes, per IEC 61249-2-21 Yes (Infineon 'green' package)
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 600 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 21 mA
Power Dissipation (PD) at Ta — 500 mW
On-Resistance (RDS(on)) Max — 500 ohm (typical for depletion-mode)
Gate-Source Voltage (VGS) Range — [DATA_NEEDED: VGS max/min]
Technology — SIPMOS (DMOS)
Betriebstemperaturbereich — -55C to +150C (junction, typical)
Configuration — Single
Channel Mode — Depletion (normally-on at VGS = 0)
Lead-Free — Yes

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