BSS127H6327XTSA2 vs BSS126H6327XTSA2 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSS127H6327XTSA2 por Infineon y BSS126H6327XTSA2 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BSS127H6327XTSA2 BSS126H6327XTSA2
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,03 $0,32
FET Type N-Channel SIPMOS, enhancement mode N-Channel Depletion Mode
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
Continuous Drain Current (ID) 21 mA (Ta) —
Pulsed Drain Current (ID,pulse) [DATA_NEEDED: pulsed ID limit] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4.5 V (logic level, rated) —
On-State Resistance (RDS(on)) max 500 ohm at ID = 21 mA —
Total Power Dissipation (Ptot) 500 mW (Ta) —
Temperatura de unión de funcionamiento -55 C to +150 C —
Encapsulado SOT-23-3 (PG-SOT23) SOT-23-3 (PG-SOT23)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Recuento de pines 3 3
dv/dt Rated Yes —
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Estado RoHS Compliant (lead-free) Compliant
Sin halógenos Yes, per IEC 61249-2-21 Yes (Infineon 'green' package)
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 600 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 21 mA
Power Dissipation (PD) at Ta — 500 mW
On-Resistance (RDS(on)) Max — 500 ohm (typical for depletion-mode)
Gate-Source Voltage (VGS) Range — [DATA_NEEDED: VGS max/min]
Technology — SIPMOS (DMOS)
Rango de temperatura de funcionamiento — -55C to +150C (junction, typical)
Configuration — Single
Channel Mode — Depletion (normally-on at VGS = 0)
Lead-Free — Yes

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