BSS127H6327XTSA2 vs BSS126H6327XTSA2 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSS127H6327XTSA2 par Infineon et BSS126H6327XTSA2 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSS127H6327XTSA2 BSS126H6327XTSA2
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,03 $0,32
FET Type N-Channel SIPMOS, enhancement mode N-Channel Depletion Mode
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
Continuous Drain Current (ID) 21 mA (Ta) —
Pulsed Drain Current (ID,pulse) [DATA_NEEDED: pulsed ID limit] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4.5 V (logic level, rated) —
On-State Resistance (RDS(on)) max 500 ohm at ID = 21 mA —
Total Power Dissipation (Ptot) 500 mW (Ta) —
Température de jonction en fonctionnement -55 C to +150 C —
Boîtier SOT-23-3 (PG-SOT23) SOT-23-3 (PG-SOT23)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Nombre de broches 3 3
dv/dt Rated Yes —
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Statut RoHS Compliant (lead-free) Compliant
Sans halogène Yes, per IEC 61249-2-21 Yes (Infineon 'green' package)
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 600 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 21 mA
Power Dissipation (PD) at Ta — 500 mW
On-Resistance (RDS(on)) Max — 500 ohm (typical for depletion-mode)
Gate-Source Voltage (VGS) Range — [DATA_NEEDED: VGS max/min]
Technology — SIPMOS (DMOS)
Plage de température de fonctionnement — -55C to +150C (junction, typical)
Configuration — Single
Channel Mode — Depletion (normally-on at VGS = 0)
Lead-Free — Yes

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