BSS127H6327XTSA2 vs BSS192PH6327FTSA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSS127H6327XTSA2 von Infineon und BSS192PH6327FTSA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSS127H6327XTSA2 BSS192PH6327FTSA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,03 $0,34
FET Type N-Channel SIPMOS, enhancement mode P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
Continuous Drain Current (ID) 21 mA (Ta) —
Pulsed Drain Current (ID,pulse) [DATA_NEEDED: pulsed ID limit] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4.5 V (logic level, rated) —
On-State Resistance (RDS(on)) max 500 ohm at ID = 21 mA —
Total Power Dissipation (Ptot) 500 mW (Ta) —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55 C to +150 C —
Gehäuse SOT-23-3 (PG-SOT23) PG-SOT89 (SOT-89-3, 4-pin 3+Tab)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Pin-Anzahl 3 —
dv/dt Rated Yes —
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 (per distributor listing)
RoHS-Status Compliant (lead-free) [DATA_NEEDED: explicit RoHS status from datasheet]
Halogenfrei Yes, per IEC 61249-2-21 —
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Technology — MOSFET (Metal Oxide)
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — 250 V
Continuous Drain Current (Id) @ 25C — 190 mA (Ta)
Power Dissipation (Pd) — 1 W (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) — 2.8 V, 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs — [DATA_NEEDED: Rds On max @ Vgs]
Vgs(th) (Max) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage max]
Vgs(th) (Typ) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage typ]
Betriebstemperaturbereich — [DATA_NEEDED: Tj max / operating temp]
Series — SIPMOS Small-Signal-Transistor
Part Status — Active

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern