BSS127H6327XTSA2 vs BSS192PH6327FTSA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSS127H6327XTSA2 par Infineon et BSS192PH6327FTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSS127H6327XTSA2 BSS192PH6327FTSA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,03 $0,34
FET Type N-Channel SIPMOS, enhancement mode P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
Continuous Drain Current (ID) 21 mA (Ta) —
Pulsed Drain Current (ID,pulse) [DATA_NEEDED: pulsed ID limit] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4.5 V (logic level, rated) —
On-State Resistance (RDS(on)) max 500 ohm at ID = 21 mA —
Total Power Dissipation (Ptot) 500 mW (Ta) —
Température de jonction en fonctionnement -55 C to +150 C —
Boîtier SOT-23-3 (PG-SOT23) PG-SOT89 (SOT-89-3, 4-pin 3+Tab)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Nombre de broches 3 —
dv/dt Rated Yes —
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 (per distributor listing)
Statut RoHS Compliant (lead-free) [DATA_NEEDED: explicit RoHS status from datasheet]
Sans halogène Yes, per IEC 61249-2-21 —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Technology — MOSFET (Metal Oxide)
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — 250 V
Continuous Drain Current (Id) @ 25C — 190 mA (Ta)
Power Dissipation (Pd) — 1 W (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) — 2.8 V, 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs — [DATA_NEEDED: Rds On max @ Vgs]
Vgs(th) (Max) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage max]
Vgs(th) (Typ) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage typ]
Plage de température de fonctionnement — [DATA_NEEDED: Tj max / operating temp]
Series — SIPMOS Small-Signal-Transistor
Part Status — Active

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