BSS127H6327XTSA2 vs BSS192PH6327FTSA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSS127H6327XTSA2 por Infineon e BSS192PH6327FTSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSS127H6327XTSA2 BSS192PH6327FTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,03 $0,34
FET Type N-Channel SIPMOS, enhancement mode P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
Continuous Drain Current (ID) 21 mA (Ta) —
Pulsed Drain Current (ID,pulse) [DATA_NEEDED: pulsed ID limit] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4.5 V (logic level, rated) —
On-State Resistance (RDS(on)) max 500 ohm at ID = 21 mA —
Total Power Dissipation (Ptot) 500 mW (Ta) —
Temperatura de junção de operação -55 C to +150 C —
Encapsulamento SOT-23-3 (PG-SOT23) PG-SOT89 (SOT-89-3, 4-pin 3+Tab)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Contagem de pinos 3 —
dv/dt Rated Yes —
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 (per distributor listing)
Status RoHS Compliant (lead-free) [DATA_NEEDED: explicit RoHS status from datasheet]
Livre de halogênio Yes, per IEC 61249-2-21 —
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Technology — MOSFET (Metal Oxide)
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — 250 V
Continuous Drain Current (Id) @ 25C — 190 mA (Ta)
Power Dissipation (Pd) — 1 W (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) — 2.8 V, 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs — [DATA_NEEDED: Rds On max @ Vgs]
Vgs(th) (Max) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage max]
Vgs(th) (Typ) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage typ]
Faixa de temperatura de operação — [DATA_NEEDED: Tj max / operating temp]
Series — SIPMOS Small-Signal-Transistor
Part Status — Active

Fichas técnicas e recursos

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