BSS127H6327XTSA2 vs BSS192PH6327FTSA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: BSS127H6327XTSA2 제조: Infineon 및 BSS192PH6327FTSA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
BSS192PH6327FTSA1 BSS192PH6327FTSA1 - P-Ch 250V 190mA MOSFET SOT-89 | Infineon

BSS192PH6327FTSA1 - P-Ch 250V 190mA MOSFET SOT-89 | Infineon

BSS192PH6327FTSA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 BSS127H6327XTSA2 BSS192PH6327FTSA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.03 $0.34
FET Type N-Channel SIPMOS, enhancement mode P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
Continuous Drain Current (ID) 21 mA (Ta) —
Pulsed Drain Current (ID,pulse) [DATA_NEEDED: pulsed ID limit] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4.5 V (logic level, rated) —
On-State Resistance (RDS(on)) max 500 ohm at ID = 21 mA —
Total Power Dissipation (Ptot) 500 mW (Ta) —
동작 접합 온도 -55 C to +150 C —
패키지 SOT-23-3 (PG-SOT23) PG-SOT89 (SOT-89-3, 4-pin 3+Tab)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
핀 수 3 —
dv/dt Rated Yes —
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 (per distributor listing)
RoHS 상태 Compliant (lead-free) [DATA_NEEDED: explicit RoHS status from datasheet]
할로겐 프리 Yes, per IEC 61249-2-21 —
MSL 레벨 [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Technology — MOSFET (Metal Oxide)
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — 250 V
Continuous Drain Current (Id) @ 25C — 190 mA (Ta)
Power Dissipation (Pd) — 1 W (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) — 2.8 V, 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs — [DATA_NEEDED: Rds On max @ Vgs]
Vgs(th) (Max) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage max]
Vgs(th) (Typ) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage typ]
동작 온도 범위 — [DATA_NEEDED: Tj max / operating temp]
Series — SIPMOS Small-Signal-Transistor
Part Status — Active

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