BSS214NWH6327XTSA1 vs BSP295H6327XTSA1 Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von BSS214NWH6327XTSA1 von Infineon und BSP295H6327XTSA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | BSS214NWH6327XTSA1 | BSP295H6327XTSA1 |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | Infineon |
| Kategorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $0,15 | $0,35 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | BSS214NWH6327XTSA1 | — |
| Series | OptiMOS | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Planar N-channel MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (Vdss) | 20 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25C | 1.5 A | — |
| Rds(on) Max @ Vgs=4.5V | 250 mOhm | — |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5 V, 4.5 V | — |
| Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C | 500 mW | — |
| Gehäuse | PG-SOT323 (SOT-323-3) | PG-SOT223-4 (3 leads + tab) |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Betriebstemperatur | -55C to +150C (junction) | — |
| Qualification | AEC-Q101 (Automotive) | AEC-Q101 (Automotive) |
| RoHS-Status | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Transistortyp | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25 °C | — | 1.8 A |
| Power Dissipation (PD) at Ta=25 °C | — | 1.8 W |
| Drain-Source On-Resistance RDS(on) max | — | 300 mΩ |
| Betriebstemperaturbereich | — | -55 °C to +150 °C |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| Tape and Reel Packing Code | — | H6327 (7-inch reel) |
| Channel Mode | — | Enhancement |
| Drain Tab Connection | — | Pin 4 (tab) |