BSS214NWH6327XTSA1 vs BSP295H6327XTSA1 比較

詳細な並列比較: BSS214NWH6327XTSA1 メーカー: Infineon および BSP295H6327XTSA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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BSS214NWH6327XTSA1 BSS214NWH6327XTSA1 - 20V N-Ch 1.5A MOSFET SOT-323 | Infineon

BSS214NWH6327XTSA1 - 20V N-Ch 1.5A MOSFET SOT-323 | Infineon

BSS214NWH6327XTSA1 ✓ 生産中
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BSP295H6327XTSA1 BSP295H6327XTSA1 - 60V 1.8A N-Ch MOSFET SOT-223 | Infineon

BSP295H6327XTSA1 - 60V 1.8A N-Ch MOSFET SOT-223 | Infineon

BSP295H6327XTSA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSS214NWH6327XTSA1 BSP295H6327XTSA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.15 $0.35
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSS214NWH6327XTSA1 —
Series OptiMOS —
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) Planar N-channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 20 V —
Continuous Drain Current (Id) @ 25C 1.5 A —
Rds(on) Max @ Vgs=4.5V 250 mOhm —
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5 V, 4.5 V —
Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C 500 mW —
パッケージ PG-SOT323 (SOT-323-3) PG-SOT223-4 (3 leads + tab)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度 -55C to +150C (junction) —
Qualification AEC-Q101 (Automotive) AEC-Q101 (Automotive)
RoHS ステータス Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
トランジスタタイプ — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) max — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25 °C — 1.8 A
Power Dissipation (PD) at Ta=25 °C — 1.8 W
Drain-Source On-Resistance RDS(on) max — 300 mΩ
動作温度範囲 — -55 °C to +150 °C
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Tape and Reel Packing Code — H6327 (7-inch reel)
Channel Mode — Enhancement
Drain Tab Connection — Pin 4 (tab)

データシート&リソース

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