BSS308PEH6327XTSA1 vs BSL207SPH6327XTSA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSS308PEH6327XTSA1 von Infineon und BSL207SPH6327XTSA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
BSL207SPH6327XTSA1 BSL207SPH6327XTSA1 - P-CH 20V 6A OptiMOS MOSFET | Infineon

BSL207SPH6327XTSA1 - P-CH 20V 6A OptiMOS MOSFET | Infineon

BSL207SPH6327XTSA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter BSS308PEH6327XTSA1 BSL207SPH6327XTSA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,11 $0,33
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family OptiMOS P (small signal / small power MOSFET) —
Transistortyp P-Channel Enhancement Mode MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) -30 V —
Continuous Drain Current (ID) -2 A (Ta) —
RDS(on) Max 80 mΩ at VGS = -10 V —
Gate-Source Voltage (VGS) Max +/-20 V —
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) 2 W (Ta)
Betriebstemperaturbereich -55 °C to +150 °C —
Gehäuse / Bauform PG-SOT23 (SOT-23-3) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Anzahl der Pins 3 —
Qualification AEC-Q101 Automotive —
RoHS-Status Compliant Compliant
Packaging Tape & Reel (T/R) —
Standard Reel Quantity 3000 pcs —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
FET Type — P-Channel
Technology — MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (VDS) — -20 V
Continuous Drain Current (ID) at 25C — 6 A (Ta)
RDS(on) Max @ VGS = -4.5 V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=-4.5V]
RDS(on) Max @ VGS = -2.5 V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=-2.5V]
Drive Voltage (Max RDS(on), Min RDS(on)) — 2.5 V, 4.5 V
Gehäuse — TSOP-6 (PG-TSOP6-6)
Betriebstemperatur — -55C to +150C
Series — OptiMOS™
Automotive Qualification — AEC-Q101
Pin-Anzahl — 6

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