BSS308PEH6327XTSA1 vs BSL207SPH6327XTSA1 比較

詳細な並列比較: BSS308PEH6327XTSA1 メーカー: Infineon および BSL207SPH6327XTSA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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BSL207SPH6327XTSA1 BSL207SPH6327XTSA1 - P-CH 20V 6A OptiMOS MOSFET | Infineon

BSL207SPH6327XTSA1 - P-CH 20V 6A OptiMOS MOSFET | Infineon

BSL207SPH6327XTSA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSS308PEH6327XTSA1 BSL207SPH6327XTSA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.11 $0.33
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family OptiMOS P (small signal / small power MOSFET) —
トランジスタタイプ P-Channel Enhancement Mode MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) -30 V —
Continuous Drain Current (ID) -2 A (Ta) —
RDS(on) Max 80 mΩ at VGS = -10 V —
Gate-Source Voltage (VGS) Max +/-20 V —
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) 2 W (Ta)
動作温度範囲 -55 °C to +150 °C —
パッケージ / ケース PG-SOT23 (SOT-23-3) —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
ピン数 3 —
Qualification AEC-Q101 Automotive —
RoHS ステータス Compliant Compliant
Packaging Tape & Reel (T/R) —
Standard Reel Quantity 3000 pcs —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
FET Type — P-Channel
Technology — MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (VDS) — -20 V
Continuous Drain Current (ID) at 25C — 6 A (Ta)
RDS(on) Max @ VGS = -4.5 V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=-4.5V]
RDS(on) Max @ VGS = -2.5 V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=-2.5V]
Drive Voltage (Max RDS(on), Min RDS(on)) — 2.5 V, 4.5 V
パッケージ — TSOP-6 (PG-TSOP6-6)
動作温度 — -55C to +150C
Series — OptiMOS™
Automotive Qualification — AEC-Q101
ピン数 — 6

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