BSS308PEH6327XTSA1 vs BSL207SPH6327XTSA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: BSS308PEH6327XTSA1 제조: Infineon 및 BSL207SPH6327XTSA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
BSL207SPH6327XTSA1 BSL207SPH6327XTSA1 - P-CH 20V 6A OptiMOS MOSFET | Infineon

BSL207SPH6327XTSA1 - P-CH 20V 6A OptiMOS MOSFET | Infineon

BSL207SPH6327XTSA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 BSS308PEH6327XTSA1 BSL207SPH6327XTSA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.11 $0.33
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family OptiMOS P (small signal / small power MOSFET) —
트랜지스터 유형 P-Channel Enhancement Mode MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) -30 V —
Continuous Drain Current (ID) -2 A (Ta) —
RDS(on) Max 80 mΩ at VGS = -10 V —
Gate-Source Voltage (VGS) Max +/-20 V —
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) 2 W (Ta)
동작 온도 범위 -55 °C to +150 °C —
패키지 / 케이스 PG-SOT23 (SOT-23-3) —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
핀 수 3 —
Qualification AEC-Q101 Automotive —
RoHS 상태 Compliant Compliant
Packaging Tape & Reel (T/R) —
Standard Reel Quantity 3000 pcs —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
FET Type — P-Channel
Technology — MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (VDS) — -20 V
Continuous Drain Current (ID) at 25C — 6 A (Ta)
RDS(on) Max @ VGS = -4.5 V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=-4.5V]
RDS(on) Max @ VGS = -2.5 V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=-2.5V]
Drive Voltage (Max RDS(on), Min RDS(on)) — 2.5 V, 4.5 V
패키지 — TSOP-6 (PG-TSOP6-6)
동작 온도 — -55C to +150C
Series — OptiMOS™
Automotive Qualification — AEC-Q101
핀 수 — 6

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