BSS308PEH6327XTSA1 vs BSS314PEH6327XTSA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSS308PEH6327XTSA1 von Infineon und BSS314PEH6327XTSA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSS308PEH6327XTSA1 BSS314PEH6327XTSA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,11 $0,15
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family OptiMOS P (small signal / small power MOSFET) —
Transistortyp P-Channel Enhancement Mode MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) -30 V —
Continuous Drain Current (ID) -2 A (Ta) —
RDS(on) Max 80 mΩ at VGS = -10 V —
Gate-Source Voltage (VGS) Max +/-20 V —
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) —
Betriebstemperaturbereich -55 °C to +150 °C -55 C to +150 C (TJ)
Gehäuse / Bauform PG-SOT23 (SOT-23-3) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Anzahl der Pins 3 —
Qualification AEC-Q101 Automotive AEC-Q101 (Automotive)
RoHS-Status Compliant Compliant
Packaging Tape & Reel (T/R) —
Standard Reel Quantity 3000 pcs —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
FET Type — P-Channel
Technology — MOSFET (Metal Oxide)
Drain-to-Source Voltage (VDS) — -30 V
Continuous Drain Current (ID) @ TA=25C — -1.5 A
Power Dissipation (PD) @ TA=25C — 500 mW
RDS(on) max @ VGS=-10V — 140 mOhm
RDS(on) max @ VGS=-4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at -4.5V VGS]
Gate Drive Voltage (max Rds(on)) — -4.5 V, -10 V
Gehäuse — PG-SOT23-3 (SOT-23-3)
Pin Configuration — G-D-S (Gate, Drain, Source)
MSL-Level — MSL1 (per JEDEC J-STD-020)

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