BSS308PEH6327XTSA1 vs BSS314PEH6327XTSA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: BSS308PEH6327XTSA1 제조: Infineon 및 BSS314PEH6327XTSA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
BSS314PEH6327XTSA1 BSS314PEH6327XTSA1 - -30V P-Ch 1.5A OptiMOS MOSFET | Infineon

BSS314PEH6327XTSA1 - -30V P-Ch 1.5A OptiMOS MOSFET | Infineon

BSS314PEH6327XTSA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 BSS308PEH6327XTSA1 BSS314PEH6327XTSA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.11 $0.15
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family OptiMOS P (small signal / small power MOSFET) —
트랜지스터 유형 P-Channel Enhancement Mode MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) -30 V —
Continuous Drain Current (ID) -2 A (Ta) —
RDS(on) Max 80 mΩ at VGS = -10 V —
Gate-Source Voltage (VGS) Max +/-20 V —
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) —
동작 온도 범위 -55 °C to +150 °C -55 C to +150 C (TJ)
패키지 / 케이스 PG-SOT23 (SOT-23-3) —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
핀 수 3 —
Qualification AEC-Q101 Automotive AEC-Q101 (Automotive)
RoHS 상태 Compliant Compliant
Packaging Tape & Reel (T/R) —
Standard Reel Quantity 3000 pcs —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
FET Type — P-Channel
Technology — MOSFET (Metal Oxide)
Drain-to-Source Voltage (VDS) — -30 V
Continuous Drain Current (ID) @ TA=25C — -1.5 A
Power Dissipation (PD) @ TA=25C — 500 mW
RDS(on) max @ VGS=-10V — 140 mOhm
RDS(on) max @ VGS=-4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at -4.5V VGS]
Gate Drive Voltage (max Rds(on)) — -4.5 V, -10 V
패키지 — PG-SOT23-3 (SOT-23-3)
Pin Configuration — G-D-S (Gate, Drain, Source)
MSL 레벨 — MSL1 (per JEDEC J-STD-020)

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