BSS308PEH6327XTSA1 vs BSS314PEH6327XTSA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSS308PEH6327XTSA1 par Infineon et BSS314PEH6327XTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSS308PEH6327XTSA1 BSS314PEH6327XTSA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,11 $0,15
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family OptiMOS P (small signal / small power MOSFET) —
Type de transistor P-Channel Enhancement Mode MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) -30 V —
Continuous Drain Current (ID) -2 A (Ta) —
RDS(on) Max 80 mΩ at VGS = -10 V —
Gate-Source Voltage (VGS) Max +/-20 V —
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) —
Plage de température de fonctionnement -55 °C to +150 °C -55 C to +150 C (TJ)
Boîtier / Format PG-SOT23 (SOT-23-3) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Nombre de broches 3 —
Qualification AEC-Q101 Automotive AEC-Q101 (Automotive)
Statut RoHS Compliant Compliant
Packaging Tape & Reel (T/R) —
Standard Reel Quantity 3000 pcs —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
FET Type — P-Channel
Technology — MOSFET (Metal Oxide)
Drain-to-Source Voltage (VDS) — -30 V
Continuous Drain Current (ID) @ TA=25C — -1.5 A
Power Dissipation (PD) @ TA=25C — 500 mW
RDS(on) max @ VGS=-10V — 140 mOhm
RDS(on) max @ VGS=-4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at -4.5V VGS]
Gate Drive Voltage (max Rds(on)) — -4.5 V, -10 V
Boîtier — PG-SOT23-3 (SOT-23-3)
Pin Configuration — G-D-S (Gate, Drain, Source)
Niveau MSL — MSL1 (per JEDEC J-STD-020)

Fiches techniques et ressources

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