BSS314PEH6327XTSA1 vs BSS308PEH6327XTSA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSS314PEH6327XTSA1 von Infineon und BSS308PEH6327XTSA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSS314PEH6327XTSA1 BSS308PEH6327XTSA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,15 $0,11
FET Type P-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) -30 V —
Continuous Drain Current (ID) @ TA=25C -1.5 A —
Power Dissipation (PD) @ TA=25C 500 mW —
RDS(on) max @ VGS=-10V 140 mOhm —
RDS(on) max @ VGS=-4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at -4.5V VGS] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Gate Drive Voltage (max Rds(on)) -4.5 V, -10 V —
Gehäuse PG-SOT23-3 (SOT-23-3) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich -55 C to +150 C (TJ) -55 °C to +150 °C
Qualification AEC-Q101 (Automotive) AEC-Q101 Automotive
Pin Configuration G-D-S (Gate, Drain, Source) —
MSL-Level MSL1 (per JEDEC J-STD-020) —
RoHS-Status Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — OptiMOS P (small signal / small power MOSFET)
Transistortyp — P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — -30 V
Continuous Drain Current (ID) — -2 A (Ta)
RDS(on) Max — 80 mΩ at VGS = -10 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max — +/-20 V
Power Dissipation (PD) — 500 mW (Ta)
Gehäuse / Bauform — PG-SOT23 (SOT-23-3)
Anzahl der Pins — 3
Packaging — Tape & Reel (T/R)
Standard Reel Quantity — 3000 pcs

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