BSS314PEH6327XTSA1 vs BSS308PEH6327XTSA1 비교
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Infineon
BSS308PEH6327XTSA1 - P-Ch -30V -2A OptiMOS MOSFET | Infineon | SOT-23
BSS308PEH6327XTSA1 ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | BSS314PEH6327XTSA1 | BSS308PEH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.15 | $0.11 |
| FET Type | P-Channel | — |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | -30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) @ TA=25C | -1.5 A | — |
| Power Dissipation (PD) @ TA=25C | 500 mW | — |
| RDS(on) max @ VGS=-10V | 140 mOhm | — |
| RDS(on) max @ VGS=-4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at -4.5V VGS] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Gate Drive Voltage (max Rds(on)) | -4.5 V, -10 V | — |
| 패키지 | PG-SOT23-3 (SOT-23-3) | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 동작 온도 범위 | -55 C to +150 C (TJ) | -55 °C to +150 °C |
| Qualification | AEC-Q101 (Automotive) | AEC-Q101 Automotive |
| Pin Configuration | G-D-S (Gate, Drain, Source) | — |
| MSL 레벨 | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Family | — | OptiMOS P (small signal / small power MOSFET) |
| 트랜지스터 유형 | — | P-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | -30 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | -2 A (Ta) |
| RDS(on) Max | — | 80 mΩ at VGS = -10 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | +/-20 V |
| Power Dissipation (PD) | — | 500 mW (Ta) |
| 패키지 / 케이스 | — | PG-SOT23 (SOT-23-3) |
| 핀 수 | — | 3 |
| Packaging | — | Tape & Reel (T/R) |
| Standard Reel Quantity | — | 3000 pcs |