BSS314PEH6327XTSA1 vs BSS308PEH6327XTSA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSS314PEH6327XTSA1 par Infineon et BSS308PEH6327XTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSS314PEH6327XTSA1 BSS308PEH6327XTSA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,15 $0,11
FET Type P-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) -30 V —
Continuous Drain Current (ID) @ TA=25C -1.5 A —
Power Dissipation (PD) @ TA=25C 500 mW —
RDS(on) max @ VGS=-10V 140 mOhm —
RDS(on) max @ VGS=-4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at -4.5V VGS] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Gate Drive Voltage (max Rds(on)) -4.5 V, -10 V —
Boîtier PG-SOT23-3 (SOT-23-3) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55 C to +150 C (TJ) -55 °C to +150 °C
Qualification AEC-Q101 (Automotive) AEC-Q101 Automotive
Pin Configuration G-D-S (Gate, Drain, Source) —
Niveau MSL MSL1 (per JEDEC J-STD-020) —
Statut RoHS Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — OptiMOS P (small signal / small power MOSFET)
Type de transistor — P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — -30 V
Continuous Drain Current (ID) — -2 A (Ta)
RDS(on) Max — 80 mΩ at VGS = -10 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max — +/-20 V
Power Dissipation (PD) — 500 mW (Ta)
Boîtier / Format — PG-SOT23 (SOT-23-3)
Nombre de broches — 3
Packaging — Tape & Reel (T/R)
Standard Reel Quantity — 3000 pcs

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