BSS314PEH6327XTSA1 vs BSS308PEH6327XTSA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSS314PEH6327XTSA1 por Infineon e BSS308PEH6327XTSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSS314PEH6327XTSA1 BSS308PEH6327XTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,15 $0,11
FET Type P-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) -30 V —
Continuous Drain Current (ID) @ TA=25C -1.5 A —
Power Dissipation (PD) @ TA=25C 500 mW —
RDS(on) max @ VGS=-10V 140 mOhm —
RDS(on) max @ VGS=-4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at -4.5V VGS] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Gate Drive Voltage (max Rds(on)) -4.5 V, -10 V —
Encapsulamento PG-SOT23-3 (SOT-23-3) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55 C to +150 C (TJ) -55 °C to +150 °C
Qualification AEC-Q101 (Automotive) AEC-Q101 Automotive
Pin Configuration G-D-S (Gate, Drain, Source) —
Nível MSL MSL1 (per JEDEC J-STD-020) —
Status RoHS Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — OptiMOS P (small signal / small power MOSFET)
Tipo de transistor — P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — -30 V
Continuous Drain Current (ID) — -2 A (Ta)
RDS(on) Max — 80 mΩ at VGS = -10 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max — +/-20 V
Power Dissipation (PD) — 500 mW (Ta)
Encapsulamento / Caixa — PG-SOT23 (SOT-23-3)
Número de pinos — 3
Packaging — Tape & Reel (T/R)
Standard Reel Quantity — 3000 pcs

Fichas técnicas e recursos

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