BSZ018NE2LSIATMA1 vs BSZ018NE2LSATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSZ018NE2LSIATMA1 von Infineon und BSZ018NE2LSATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSZ018NE2LSIATMA1 BSZ018NE2LSATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,39 $0,31
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSZ018NE2LSIATMA1 —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V 25 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 22 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 40 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 160 A —
Typical On-Resistance RDS(on) at VGS=10V 1.8 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Power Dissipation at Ta=25C 2.1 W —
Power Dissipation at Tc=25C 69 W —
Betriebstemperaturbereich -55 C to +150 C -55C to +150C
Gehäuse PG-TSDSON-8-FL (8-pin TSDSON with exposed pad) PG-TSDSON-8-FL (8-pin TSDSON with exposed pad)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS (Infineon trench MOSFET) N-Channel Trench MOSFET
RoHS-Status Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Product Family — OptiMOS 25V
Continuous Drain Current (TA) — 23 A
Continuous Drain Current (TC) — 40 A
Power Dissipation (TA) — 2.1 W
Power Dissipation (TC) — 69 W
On-Resistance RDS(on) — [DATA_NEEDED: RDS(on) typical at VGS=10V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th)]
Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge at VGS=10V]
MSL-Level — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Halogenfrei — Yes

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