BSZ018NE2LSIATMA1 vs BSZ018NE2LSATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSZ018NE2LSIATMA1 por Infineon e BSZ018NE2LSATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSZ018NE2LSIATMA1 BSZ018NE2LSATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,39 $0,31
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSZ018NE2LSIATMA1 —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V 25 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 22 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 40 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 160 A —
Typical On-Resistance RDS(on) at VGS=10V 1.8 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Power Dissipation at Ta=25C 2.1 W —
Power Dissipation at Tc=25C 69 W —
Faixa de temperatura de operação -55 C to +150 C -55C to +150C
Encapsulamento PG-TSDSON-8-FL (8-pin TSDSON with exposed pad) PG-TSDSON-8-FL (8-pin TSDSON with exposed pad)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS (Infineon trench MOSFET) N-Channel Trench MOSFET
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Product Family — OptiMOS 25V
Continuous Drain Current (TA) — 23 A
Continuous Drain Current (TC) — 40 A
Power Dissipation (TA) — 2.1 W
Power Dissipation (TC) — 69 W
On-Resistance RDS(on) — [DATA_NEEDED: RDS(on) typical at VGS=10V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th)]
Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge at VGS=10V]
Nível MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Livre de halogênio — Yes

Fichas técnicas e recursos

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