BSZ018NE2LSIATMA1 vs BSZ018NE2LSATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSZ018NE2LSIATMA1 par Infineon et BSZ018NE2LSATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSZ018NE2LSIATMA1 BSZ018NE2LSATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,39 $0,31
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSZ018NE2LSIATMA1 —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V 25 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 22 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 40 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 160 A —
Typical On-Resistance RDS(on) at VGS=10V 1.8 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Power Dissipation at Ta=25C 2.1 W —
Power Dissipation at Tc=25C 69 W —
Plage de température de fonctionnement -55 C to +150 C -55C to +150C
Boîtier PG-TSDSON-8-FL (8-pin TSDSON with exposed pad) PG-TSDSON-8-FL (8-pin TSDSON with exposed pad)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS (Infineon trench MOSFET) N-Channel Trench MOSFET
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Product Family — OptiMOS 25V
Continuous Drain Current (TA) — 23 A
Continuous Drain Current (TC) — 40 A
Power Dissipation (TA) — 2.1 W
Power Dissipation (TC) — 69 W
On-Resistance RDS(on) — [DATA_NEEDED: RDS(on) typical at VGS=10V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th)]
Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge at VGS=10V]
Niveau MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Sans halogène — Yes

Fiches techniques et ressources

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