BSZ036NE2LSATMA1 vs BSZ065N03LSATMA1 Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von BSZ036NE2LSATMA1 von Infineon und BSZ065N03LSATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | BSZ036NE2LSATMA1 | BSZ065N03LSATMA1 |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | Infineon |
| Kategorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $0,42 | $0,38 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 25V | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 16 A | 12 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 40 A | 40 A |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 2.1 W | 2.1 W |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 37 W | 26 W |
| Gehäuse | PG-TSDSON-8-FL (5x6 mm) | — |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Configuration | Single | Single N-Channel |
| Betriebstemperaturbereich | -55C to +150C | -55C to +150C (junction) |
| MSL-Level | 1 (Unlimited) | 1 |
| RoHS-Status | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Gate Drive | Logic-level compatible | — |
| Series | — | OptiMOS 30V |
| Transistortyp | — | N-Channel MOSFET |
| Gehäuse / Bauform | — | PG-TSDSON-8-FL (S308) |
| Technology | — | Trench MOSFET (OptiMOS) |
| Gate Drive (typical) | — | 4.5 V |