BSZ036NE2LSATMA1 vs BSZ065N03LSATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: BSZ036NE2LSATMA1 제조: Infineon 및 BSZ065N03LSATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | BSZ036NE2LSATMA1 | BSZ065N03LSATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.42 | $0.38 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 25V | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 16 A | 12 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 40 A | 40 A |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 2.1 W | 2.1 W |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 37 W | 26 W |
| 패키지 | PG-TSDSON-8-FL (5x6 mm) | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Configuration | Single | Single N-Channel |
| 동작 온도 범위 | -55C to +150C | -55C to +150C (junction) |
| MSL 레벨 | 1 (Unlimited) | 1 |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Gate Drive | Logic-level compatible | — |
| Series | — | OptiMOS 30V |
| 트랜지스터 유형 | — | N-Channel MOSFET |
| 패키지 / 케이스 | — | PG-TSDSON-8-FL (S308) |
| Technology | — | Trench MOSFET (OptiMOS) |
| Gate Drive (typical) | — | 4.5 V |