BSZ036NE2LSATMA1 vs BSZ065N03LSATMA1 比較

詳細な並列比較: BSZ036NE2LSATMA1 メーカー: Infineon および BSZ065N03LSATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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BSZ065N03LSATMA1 BSZ065N03LSATMA1 - 30V N-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon

BSZ065N03LSATMA1 - 30V N-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon

BSZ065N03LSATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSZ036NE2LSATMA1 BSZ065N03LSATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.42 $0.38
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 25V —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 16 A 12 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 40 A 40 A
Power Dissipation (PD) at TA=25C 2.1 W 2.1 W
Power Dissipation (PD) at TC=25C 37 W 26 W
パッケージ PG-TSDSON-8-FL (5x6 mm) —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Configuration Single Single N-Channel
動作温度範囲 -55C to +150C -55C to +150C (junction)
MSLレベル 1 (Unlimited) 1
RoHS ステータス Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Gate Drive Logic-level compatible —
Series — OptiMOS 30V
トランジスタタイプ — N-Channel MOSFET
パッケージ / ケース — PG-TSDSON-8-FL (S308)
Technology — Trench MOSFET (OptiMOS)
Gate Drive (typical) — 4.5 V

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