BSZ065N03LSATMA1 vs BSC020N03LSGATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSZ065N03LSATMA1 von Infineon und BSC020N03LSGATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSZ065N03LSATMA1 BSC020N03LSGATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,38 $0,42
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 30V OptiMOS 3
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 12 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 40 A —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 2.1 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 26 W —
Gehäuse / Bauform PG-TSDSON-8-FL (S308) PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 5 mm x 6 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Configuration Single N-Channel —
Technology Trench MOSFET (OptiMOS) —
Betriebstemperaturbereich -55C to +150C (junction) -55 C to +150 C (junction)
MSL-Level 1 1 (per JEDEC J-STD-020, per Infineon datasheet)
RoHS-Status Compliant Compliant
Gate Drive (typical) 4.5 V —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 28 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
Gate-Source Voltage (VGS) — +/-20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 1 V to 2.2 V (typical range, per datasheet)
On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — approximately 2.0 mOhm
Power Dissipation (PD) at Ta=25C — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 96 W
Packaging — Tape & Reel

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