BSZ065N03LSATMA1 vs BSC020N03LSGATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSZ065N03LSATMA1 par Infineon et BSC020N03LSGATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSZ065N03LSATMA1 BSC020N03LSGATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,38 $0,42
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 30V OptiMOS 3
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 12 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 40 A —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 2.1 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 26 W —
Boîtier / Format PG-TSDSON-8-FL (S308) PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 5 mm x 6 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Configuration Single N-Channel —
Technology Trench MOSFET (OptiMOS) —
Plage de température de fonctionnement -55C to +150C (junction) -55 C to +150 C (junction)
Niveau MSL 1 1 (per JEDEC J-STD-020, per Infineon datasheet)
Statut RoHS Compliant Compliant
Gate Drive (typical) 4.5 V —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 28 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
Gate-Source Voltage (VGS) — +/-20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 1 V to 2.2 V (typical range, per datasheet)
On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — approximately 2.0 mOhm
Power Dissipation (PD) at Ta=25C — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 96 W
Packaging — Tape & Reel

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