BSZ065N03LSATMA1 vs BSC020N03LSGATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSZ065N03LSATMA1 por Infineon e BSC020N03LSGATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSZ065N03LSATMA1 BSC020N03LSGATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,38 $0,42
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 30V OptiMOS 3
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 12 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 40 A —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 2.1 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 26 W —
Encapsulamento / Caixa PG-TSDSON-8-FL (S308) PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 5 mm x 6 mm)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Configuration Single N-Channel —
Technology Trench MOSFET (OptiMOS) —
Faixa de temperatura de operação -55C to +150C (junction) -55 C to +150 C (junction)
Nível MSL 1 1 (per JEDEC J-STD-020, per Infineon datasheet)
Status RoHS Compliant Compliant
Gate Drive (typical) 4.5 V —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 28 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
Gate-Source Voltage (VGS) — +/-20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 1 V to 2.2 V (typical range, per datasheet)
On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — approximately 2.0 mOhm
Power Dissipation (PD) at Ta=25C — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 96 W
Packaging — Tape & Reel

Fichas técnicas e recursos

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