BSZ065N03LSATMA1 vs BSZ130N03LSGATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSZ065N03LSATMA1 von Infineon und BSZ130N03LSGATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSZ065N03LSATMA1 BSZ130N03LSGATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,38 $0,41
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 30V —
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 12 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 40 A —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 2.1 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 26 W —
Gehäuse / Bauform PG-TSDSON-8-FL (S308) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Configuration Single N-Channel —
Technology Trench MOSFET (OptiMOS) —
Betriebstemperaturbereich -55C to +150C (junction) -55 C to +150 C (junction)
MSL-Level 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS-Status Compliant Compliant
Gate Drive (typical) 4.5 V —
Part Family — OptiMOS 25V / 30V
Polarity / Channel Type — N-Channel Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (Vds) — 30 V
Continuous Drain Current (Ta=25 C) — 10 A
Kontinuierlicher Drain-Strom (TC=25°C) — 35 A
On-State Resistance Rds(on) max @ Vgs=10V — 13 mOhm
Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ @ Vds=Vgs, Id=250uA — 2.2 V
Power Dissipation (Ta) — 2.1 W
Power Dissipation (Tc) — 25 W
Gehäuse — PG-TSDSON-8 (8-PowerTDFN, 5x6 mm)
Lead-Free — Yes
Halogenfrei — Yes
Qualification — Industrial / Commercial (non-automotive)

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