BSZ065N03LSATMA1 vs BSZ130N03LSGATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSZ065N03LSATMA1 por Infineon e BSZ130N03LSGATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSZ065N03LSATMA1 BSZ130N03LSGATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,38 $0,41
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 30V —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 12 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 40 A —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 2.1 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 26 W —
Encapsulamento / Caixa PG-TSDSON-8-FL (S308) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Configuration Single N-Channel —
Technology Trench MOSFET (OptiMOS) —
Faixa de temperatura de operação -55C to +150C (junction) -55 C to +150 C (junction)
Nível MSL 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
Status RoHS Compliant Compliant
Gate Drive (typical) 4.5 V —
Part Family — OptiMOS 25V / 30V
Polarity / Channel Type — N-Channel Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (Vds) — 30 V
Continuous Drain Current (Ta=25 C) — 10 A
Corrente de dreno contínua (TC=25°C) — 35 A
On-State Resistance Rds(on) max @ Vgs=10V — 13 mOhm
Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ @ Vds=Vgs, Id=250uA — 2.2 V
Power Dissipation (Ta) — 2.1 W
Power Dissipation (Tc) — 25 W
Encapsulamento — PG-TSDSON-8 (8-PowerTDFN, 5x6 mm)
Lead-Free — Yes
Livre de halogênio — Yes
Qualification — Industrial / Commercial (non-automotive)

Fichas técnicas e recursos

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