BSZ065N03LSATMA1 vs BSZ130N03LSGATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSZ065N03LSATMA1 par Infineon et BSZ130N03LSGATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSZ065N03LSATMA1 BSZ130N03LSGATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,38 $0,41
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 30V —
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 12 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 40 A —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 2.1 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 26 W —
Boîtier / Format PG-TSDSON-8-FL (S308) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Configuration Single N-Channel —
Technology Trench MOSFET (OptiMOS) —
Plage de température de fonctionnement -55C to +150C (junction) -55 C to +150 C (junction)
Niveau MSL 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
Statut RoHS Compliant Compliant
Gate Drive (typical) 4.5 V —
Part Family — OptiMOS 25V / 30V
Polarity / Channel Type — N-Channel Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (Vds) — 30 V
Continuous Drain Current (Ta=25 C) — 10 A
Courant de drain continu (TC=25°C) — 35 A
On-State Resistance Rds(on) max @ Vgs=10V — 13 mOhm
Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ @ Vds=Vgs, Id=250uA — 2.2 V
Power Dissipation (Ta) — 2.1 W
Power Dissipation (Tc) — 25 W
Boîtier — PG-TSDSON-8 (8-PowerTDFN, 5x6 mm)
Lead-Free — Yes
Sans halogène — Yes
Qualification — Industrial / Commercial (non-automotive)

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis