BSZ110N08NS5ATMA1 vs BSZ130N03LSGATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSZ110N08NS5ATMA1 von Infineon und BSZ130N03LSGATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
BSZ110N08NS5ATMA1 BSZ110N08NS5ATMA1 - 80V 40A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSZ110N08NS5ATMA1 - 80V 40A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSZ110N08NS5ATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter BSZ110N08NS5ATMA1 BSZ130N03LSGATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,44 $0,41
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 5 OptiMOS 25V / 30V
Technology OptiMOS 5 N-Channel Power MOSFET —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 40 A —
On-Resistance RDS(on) max 11 mΩ —
Power Dissipation (PD) at Tc 50 W —
Gehäuse PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3) PG-TSDSON-8 (8-PowerTDFN, 5x6 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Polarity N-Channel —
Configuration Single MOSFET —
Gate Drive Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS rating] —
Betriebstemperaturbereich [DATA_NEEDED: operating temperature range] -55 C to +150 C (junction)
RoHS-Status Compliant Compliant
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL level] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Polarity / Channel Type — N-Channel Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (Vds) — 30 V
Continuous Drain Current (Ta=25 C) — 10 A
Kontinuierlicher Drain-Strom (TC=25°C) — 35 A
On-State Resistance Rds(on) max @ Vgs=10V — 13 mOhm
Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ @ Vds=Vgs, Id=250uA — 2.2 V
Power Dissipation (Ta) — 2.1 W
Power Dissipation (Tc) — 25 W
Lead-Free — Yes
Halogenfrei — Yes
Qualification — Industrial / Commercial (non-automotive)

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