BSZ110N08NS5ATMA1 vs BSZ130N03LSGATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSZ110N08NS5ATMA1 por Infineon e BSZ130N03LSGATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
BSZ110N08NS5ATMA1 BSZ110N08NS5ATMA1 - 80V 40A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSZ110N08NS5ATMA1 - 80V 40A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSZ110N08NS5ATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro BSZ110N08NS5ATMA1 BSZ130N03LSGATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,44 $0,41
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 5 OptiMOS 25V / 30V
Technology OptiMOS 5 N-Channel Power MOSFET —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 40 A —
On-Resistance RDS(on) max 11 mΩ —
Power Dissipation (PD) at Tc 50 W —
Encapsulamento PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3) PG-TSDSON-8 (8-PowerTDFN, 5x6 mm)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Polarity N-Channel —
Configuration Single MOSFET —
Gate Drive Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS rating] —
Faixa de temperatura de operação [DATA_NEEDED: operating temperature range] -55 C to +150 C (junction)
Status RoHS Compliant Compliant
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL level] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Polarity / Channel Type — N-Channel Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (Vds) — 30 V
Continuous Drain Current (Ta=25 C) — 10 A
Corrente de dreno contínua (TC=25°C) — 35 A
On-State Resistance Rds(on) max @ Vgs=10V — 13 mOhm
Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ @ Vds=Vgs, Id=250uA — 2.2 V
Power Dissipation (Ta) — 2.1 W
Power Dissipation (Tc) — 25 W
Lead-Free — Yes
Livre de halogênio — Yes
Qualification — Industrial / Commercial (non-automotive)

Fichas técnicas e recursos

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