BSZ110N08NS5ATMA1 vs BSZ130N03LSGATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSZ110N08NS5ATMA1 por Infineon y BSZ130N03LSGATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
BSZ110N08NS5ATMA1 BSZ110N08NS5ATMA1 - 80V 40A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSZ110N08NS5ATMA1 - 80V 40A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSZ110N08NS5ATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro BSZ110N08NS5ATMA1 BSZ130N03LSGATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,44 $0,41
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 5 OptiMOS 25V / 30V
Technology OptiMOS 5 N-Channel Power MOSFET —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 40 A —
On-Resistance RDS(on) max 11 mΩ —
Power Dissipation (PD) at Tc 50 W —
Encapsulado PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3) PG-TSDSON-8 (8-PowerTDFN, 5x6 mm)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Polarity N-Channel —
Configuration Single MOSFET —
Gate Drive Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS rating] —
Rango de temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: operating temperature range] -55 C to +150 C (junction)
Estado RoHS Compliant Compliant
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL level] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Polarity / Channel Type — N-Channel Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (Vds) — 30 V
Continuous Drain Current (Ta=25 C) — 10 A
Corriente de drenador continua (TC=25°C) — 35 A
On-State Resistance Rds(on) max @ Vgs=10V — 13 mOhm
Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ @ Vds=Vgs, Id=250uA — 2.2 V
Power Dissipation (Ta) — 2.1 W
Power Dissipation (Tc) — 25 W
Lead-Free — Yes
Sin halógenos — Yes
Qualification — Industrial / Commercial (non-automotive)

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