BSZ110N08NS5ATMA1 vs BSZ130N03LSGATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSZ110N08NS5ATMA1 par Infineon et BSZ130N03LSGATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
BSZ110N08NS5ATMA1 BSZ110N08NS5ATMA1 - 80V 40A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSZ110N08NS5ATMA1 - 80V 40A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSZ110N08NS5ATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre BSZ110N08NS5ATMA1 BSZ130N03LSGATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,44 $0,41
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 5 OptiMOS 25V / 30V
Technology OptiMOS 5 N-Channel Power MOSFET —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 40 A —
On-Resistance RDS(on) max 11 mΩ —
Power Dissipation (PD) at Tc 50 W —
Boîtier PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3) PG-TSDSON-8 (8-PowerTDFN, 5x6 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Polarity N-Channel —
Configuration Single MOSFET —
Gate Drive Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS rating] —
Plage de température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] -55 C to +150 C (junction)
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL level] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Polarity / Channel Type — N-Channel Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (Vds) — 30 V
Continuous Drain Current (Ta=25 C) — 10 A
Courant de drain continu (TC=25°C) — 35 A
On-State Resistance Rds(on) max @ Vgs=10V — 13 mOhm
Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ @ Vds=Vgs, Id=250uA — 2.2 V
Power Dissipation (Ta) — 2.1 W
Power Dissipation (Tc) — 25 W
Lead-Free — Yes
Sans halogène — Yes
Qualification — Industrial / Commercial (non-automotive)

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