BSZ130N03LSGATMA1 vs BSZ110N08NS5ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSZ130N03LSGATMA1 von Infineon und BSZ110N08NS5ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
BSZ110N08NS5ATMA1 BSZ110N08NS5ATMA1 - 80V 40A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSZ110N08NS5ATMA1 - 80V 40A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSZ110N08NS5ATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter BSZ130N03LSGATMA1 BSZ110N08NS5ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,41 $0,44
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 25V / 30V OptiMOS 5
Polarity / Channel Type N-Channel Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (Vds) 30 V —
Continuous Drain Current (Ta=25 C) 10 A —
Kontinuierlicher Drain-Strom (TC=25°C) 35 A —
On-State Resistance Rds(on) max @ Vgs=10V 13 mOhm —
Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ @ Vds=Vgs, Id=250uA 2.2 V —
Power Dissipation (Ta) 2.1 W —
Power Dissipation (Tc) 25 W —
Gehäuse PG-TSDSON-8 (8-PowerTDFN, 5x6 mm) PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich -55 C to +150 C (junction) [DATA_NEEDED: operating temperature range]
MSL-Level 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL level]
RoHS-Status Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Halogenfrei Yes —
Qualification Industrial / Commercial (non-automotive) —
Technology — OptiMOS 5 N-Channel Power MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 40 A
On-Resistance RDS(on) max — 11 mΩ
Power Dissipation (PD) at Tc — 50 W
Polarity — N-Channel
Configuration — Single MOSFET
Gate Drive Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS rating]

Datenblätter & Ressourcen

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