BSZ130N03LSGATMA1 vs BSZ110N08NS5ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSZ130N03LSGATMA1 por Infineon y BSZ110N08NS5ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
BSZ110N08NS5ATMA1 BSZ110N08NS5ATMA1 - 80V 40A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSZ110N08NS5ATMA1 - 80V 40A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSZ110N08NS5ATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro BSZ130N03LSGATMA1 BSZ110N08NS5ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,41 $0,44
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 25V / 30V OptiMOS 5
Polarity / Channel Type N-Channel Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (Vds) 30 V —
Continuous Drain Current (Ta=25 C) 10 A —
Corriente de drenador continua (TC=25°C) 35 A —
On-State Resistance Rds(on) max @ Vgs=10V 13 mOhm —
Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ @ Vds=Vgs, Id=250uA 2.2 V —
Power Dissipation (Ta) 2.1 W —
Power Dissipation (Tc) 25 W —
Encapsulado PG-TSDSON-8 (8-PowerTDFN, 5x6 mm) PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Rango de temperatura de funcionamiento -55 C to +150 C (junction) [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Nivel MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL level]
Estado RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Sin halógenos Yes —
Qualification Industrial / Commercial (non-automotive) —
Technology — OptiMOS 5 N-Channel Power MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 40 A
On-Resistance RDS(on) max — 11 mΩ
Power Dissipation (PD) at Tc — 50 W
Polarity — N-Channel
Configuration — Single MOSFET
Gate Drive Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS rating]

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