BSZ130N03LSGATMA1 vs BSZ110N08NS5ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSZ130N03LSGATMA1 par Infineon et BSZ110N08NS5ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
BSZ110N08NS5ATMA1 BSZ110N08NS5ATMA1 - 80V 40A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSZ110N08NS5ATMA1 - 80V 40A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSZ110N08NS5ATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre BSZ130N03LSGATMA1 BSZ110N08NS5ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,41 $0,44
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 25V / 30V OptiMOS 5
Polarity / Channel Type N-Channel Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (Vds) 30 V —
Continuous Drain Current (Ta=25 C) 10 A —
Courant de drain continu (TC=25°C) 35 A —
On-State Resistance Rds(on) max @ Vgs=10V 13 mOhm —
Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ @ Vds=Vgs, Id=250uA 2.2 V —
Power Dissipation (Ta) 2.1 W —
Power Dissipation (Tc) 25 W —
Boîtier PG-TSDSON-8 (8-PowerTDFN, 5x6 mm) PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55 C to +150 C (junction) [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Niveau MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL level]
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Sans halogène Yes —
Qualification Industrial / Commercial (non-automotive) —
Technology — OptiMOS 5 N-Channel Power MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 40 A
On-Resistance RDS(on) max — 11 mΩ
Power Dissipation (PD) at Tc — 50 W
Polarity — N-Channel
Configuration — Single MOSFET
Gate Drive Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS rating]

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis