BTH60801EPLXUMA1 vs BTS3256DAUMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BTH60801EPLXUMA1 von Infineon und BTS3256DAUMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BTH60801EPLXUMA1 BTS3256DAUMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,74 $2,43
Product Type Smart High-Side Power Switch Smart Low-Side Power Switch
Number of Channels 1 1
Topologie High-Side N-Channel MOSFET with Charge Pump —
On-State Resistance (RDS(on)) 80 mΩ (typical) 50 mOhm typical
Continuous Load Current 2.5 A —
Operating Voltage Range 4 V to 54 V 4.5 V to 28 V (load supply Vbb)
Nominal Board Net 48 V (PROFET+ 48V family) —
Current Limitation Adjustable Yes (integrated)
Diagnostic Output Current Sense (IS) pin —
Input Logic Active High and Active Low —
Protection Features Overtemperature, Overvoltage, Undervoltage, Short Circuit —
Gehäuse PG-TSDSO-14 (exposed pad) PG-TO252-5-11 (DPAK-5)
Betriebstemperaturbereich -40 °C to +150 °C (Tj) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q100 qualified —
RoHS-Status Compliant —
Technology — HITFET (N-channel vertical DMOS)
Ausgangskonfiguration — Low-Side, 1:1
Continuous Drain Current — 7.5 A
Overvoltage Clamp — Integrated
Thermisches Abschalten — Yes (with auto-restart)
Status Feedback — Yes (open-drain status pin)
ESD Protection — Yes (per datasheet)
Operating Temperature (Junction) — -40 C to +150 C
Automotive Qualified — Yes (AEC-Q100)
RoHS Compliance — Compliant

Datenblätter & Ressourcen

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