BTH60801EPLXUMA1 vs BTS3256DAUMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BTH60801EPLXUMA1 por Infineon y BTS3256DAUMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BTH60801EPLXUMA1 BTS3256DAUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,74 $2,43
Product Type Smart High-Side Power Switch Smart Low-Side Power Switch
Number of Channels 1 1
Topología High-Side N-Channel MOSFET with Charge Pump —
On-State Resistance (RDS(on)) 80 mΩ (typical) 50 mOhm typical
Continuous Load Current 2.5 A —
Operating Voltage Range 4 V to 54 V 4.5 V to 28 V (load supply Vbb)
Nominal Board Net 48 V (PROFET+ 48V family) —
Current Limitation Adjustable Yes (integrated)
Diagnostic Output Current Sense (IS) pin —
Input Logic Active High and Active Low —
Protection Features Overtemperature, Overvoltage, Undervoltage, Short Circuit —
Encapsulado PG-TSDSO-14 (exposed pad) PG-TO252-5-11 (DPAK-5)
Rango de temperatura de funcionamiento -40 °C to +150 °C (Tj) —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q100 qualified —
Estado RoHS Compliant —
Technology — HITFET (N-channel vertical DMOS)
Configuración de salida — Low-Side, 1:1
Continuous Drain Current — 7.5 A
Overvoltage Clamp — Integrated
Apagado térmico — Yes (with auto-restart)
Status Feedback — Yes (open-drain status pin)
ESD Protection — Yes (per datasheet)
Operating Temperature (Junction) — -40 C to +150 C
Automotive Qualified — Yes (AEC-Q100)
RoHS Compliance — Compliant

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