BTH60801EPLXUMA1 vs BTS3256DAUMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BTH60801EPLXUMA1 por Infineon e BTS3256DAUMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BTH60801EPLXUMA1 BTS3256DAUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,74 $2,43
Product Type Smart High-Side Power Switch Smart Low-Side Power Switch
Number of Channels 1 1
Topologia High-Side N-Channel MOSFET with Charge Pump —
On-State Resistance (RDS(on)) 80 mΩ (typical) 50 mOhm typical
Continuous Load Current 2.5 A —
Operating Voltage Range 4 V to 54 V 4.5 V to 28 V (load supply Vbb)
Nominal Board Net 48 V (PROFET+ 48V family) —
Current Limitation Adjustable Yes (integrated)
Diagnostic Output Current Sense (IS) pin —
Input Logic Active High and Active Low —
Protection Features Overtemperature, Overvoltage, Undervoltage, Short Circuit —
Encapsulamento PG-TSDSO-14 (exposed pad) PG-TO252-5-11 (DPAK-5)
Faixa de temperatura de operação -40 °C to +150 °C (Tj) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q100 qualified —
Status RoHS Compliant —
Technology — HITFET (N-channel vertical DMOS)
Configuração de saída — Low-Side, 1:1
Continuous Drain Current — 7.5 A
Overvoltage Clamp — Integrated
Desligamento térmico — Yes (with auto-restart)
Status Feedback — Yes (open-drain status pin)
ESD Protection — Yes (per datasheet)
Operating Temperature (Junction) — -40 C to +150 C
Automotive Qualified — Yes (AEC-Q100)
RoHS Compliance — Compliant

Fichas técnicas e recursos

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