BTH60801EPLXUMA1 vs BTS3256DAUMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BTH60801EPLXUMA1 par Infineon et BTS3256DAUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BTH60801EPLXUMA1 BTS3256DAUMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,74 $2,43
Product Type Smart High-Side Power Switch Smart Low-Side Power Switch
Number of Channels 1 1
Topologie High-Side N-Channel MOSFET with Charge Pump —
On-State Resistance (RDS(on)) 80 mΩ (typical) 50 mOhm typical
Continuous Load Current 2.5 A —
Operating Voltage Range 4 V to 54 V 4.5 V to 28 V (load supply Vbb)
Nominal Board Net 48 V (PROFET+ 48V family) —
Current Limitation Adjustable Yes (integrated)
Diagnostic Output Current Sense (IS) pin —
Input Logic Active High and Active Low —
Protection Features Overtemperature, Overvoltage, Undervoltage, Short Circuit —
Boîtier PG-TSDSO-14 (exposed pad) PG-TO252-5-11 (DPAK-5)
Plage de température de fonctionnement -40 °C to +150 °C (Tj) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q100 qualified —
Statut RoHS Compliant —
Technology — HITFET (N-channel vertical DMOS)
Configuration de sortie — Low-Side, 1:1
Continuous Drain Current — 7.5 A
Overvoltage Clamp — Integrated
Arrêt thermique — Yes (with auto-restart)
Status Feedback — Yes (open-drain status pin)
ESD Protection — Yes (per datasheet)
Operating Temperature (Junction) — -40 C to +150 C
Automotive Qualified — Yes (AEC-Q100)
RoHS Compliance — Compliant

Fiches techniques et ressources

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