BTS3011TEATMA1 vs BTS3104SDRATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BTS3011TEATMA1 von Infineon und BTS3104SDRATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BTS3011TEATMA1 BTS3104SDRATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,51 $0,84
Product Type Smart Low-Side Power Switch Low-side power switch (HITFET family)
Number of Channels 1 1
On-Resistance R_DS(on) (typ.) 11 mΩ —
Continuous Load Current 10 A —
Operating Voltage Range 3 V to 28 V —
Switch Technology N-channel vertical power MOSFET —
Input Type Logic-level CMOS compatible —
Gehäuse PG-TO252-5 (DPAK-5) PG-TO252-3-11 (DPAK)
Anzahl der Pins 5 (4 + Tab) —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -40 °C to +150 °C —
ESD Protection (HBM) ±8 kV (output pin) —
AEC-Q100 Qualification Grade 1 qualified —
Integrated Protections Current limit, overtemperature shutdown, overvoltage clamp, ESD, ground-loss protection —
Diagnostic Output Open-drain status feedback pin —
Montageart Surface Mount Surface Mount
RoHS-Status Compliant Compliant
Ausgangskonfiguration — Low-side, N-channel
Drain-to-Source Voltage (V_DS) Max — 60 V
Continuous Drain Current (I_D) — 2 A
On-State Resistance (R_DS(on)) Typ — [DATA_NEEDED: R_DS(on) value]
Input Logic Level — CMOS-compatible (active-high)
Supply Voltage (V_IN) — [DATA_NEEDED: V_IN range]
Standby Current — [DATA_NEEDED: standby current]
Betriebstemperaturbereich — -40 C to +150 C
Protection Features — Overtemperature, overcurrent, short-circuit, overvoltage, ESD
Automotive Qualification — AEC-Q100 qualified
Halogenfrei — Yes
MSL-Level — 1

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