BTS3011TEATMA1 vs BTS3104SDRATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BTS3011TEATMA1 par Infineon et BTS3104SDRATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BTS3011TEATMA1 BTS3104SDRATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,51 $0,84
Product Type Smart Low-Side Power Switch Low-side power switch (HITFET family)
Number of Channels 1 1
On-Resistance R_DS(on) (typ.) 11 mΩ —
Continuous Load Current 10 A —
Operating Voltage Range 3 V to 28 V —
Switch Technology N-channel vertical power MOSFET —
Input Type Logic-level CMOS compatible —
Boîtier PG-TO252-5 (DPAK-5) PG-TO252-3-11 (DPAK)
Nombre de broches 5 (4 + Tab) —
Température de jonction en fonctionnement -40 °C to +150 °C —
ESD Protection (HBM) ±8 kV (output pin) —
AEC-Q100 Qualification Grade 1 qualified —
Integrated Protections Current limit, overtemperature shutdown, overvoltage clamp, ESD, ground-loss protection —
Diagnostic Output Open-drain status feedback pin —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Statut RoHS Compliant Compliant
Configuration de sortie — Low-side, N-channel
Drain-to-Source Voltage (V_DS) Max — 60 V
Continuous Drain Current (I_D) — 2 A
On-State Resistance (R_DS(on)) Typ — [DATA_NEEDED: R_DS(on) value]
Input Logic Level — CMOS-compatible (active-high)
Supply Voltage (V_IN) — [DATA_NEEDED: V_IN range]
Standby Current — [DATA_NEEDED: standby current]
Plage de température de fonctionnement — -40 C to +150 C
Protection Features — Overtemperature, overcurrent, short-circuit, overvoltage, ESD
Automotive Qualification — AEC-Q100 qualified
Sans halogène — Yes
Niveau MSL — 1

Fiches techniques et ressources

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