BTS3011TEATMA1 vs BTS3104SDRATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: BTS3011TEATMA1 제조: Infineon 및 BTS3104SDRATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 BTS3011TEATMA1 BTS3104SDRATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.51 $0.84
Product Type Smart Low-Side Power Switch Low-side power switch (HITFET family)
Number of Channels 1 1
On-Resistance R_DS(on) (typ.) 11 mΩ —
Continuous Load Current 10 A —
Operating Voltage Range 3 V to 28 V —
Switch Technology N-channel vertical power MOSFET —
Input Type Logic-level CMOS compatible —
패키지 PG-TO252-5 (DPAK-5) PG-TO252-3-11 (DPAK)
핀 수 5 (4 + Tab) —
동작 접합 온도 -40 °C to +150 °C —
ESD Protection (HBM) ±8 kV (output pin) —
AEC-Q100 Qualification Grade 1 qualified —
Integrated Protections Current limit, overtemperature shutdown, overvoltage clamp, ESD, ground-loss protection —
Diagnostic Output Open-drain status feedback pin —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
RoHS 상태 Compliant Compliant
출력 구성 — Low-side, N-channel
Drain-to-Source Voltage (V_DS) Max — 60 V
Continuous Drain Current (I_D) — 2 A
On-State Resistance (R_DS(on)) Typ — [DATA_NEEDED: R_DS(on) value]
Input Logic Level — CMOS-compatible (active-high)
Supply Voltage (V_IN) — [DATA_NEEDED: V_IN range]
Standby Current — [DATA_NEEDED: standby current]
동작 온도 범위 — -40 C to +150 C
Protection Features — Overtemperature, overcurrent, short-circuit, overvoltage, ESD
Automotive Qualification — AEC-Q100 qualified
할로겐 프리 — Yes
MSL 레벨 — 1

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