BTS3011TEATMA1 vs BTS3104SDRATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BTS3011TEATMA1 por Infineon y BTS3104SDRATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BTS3011TEATMA1 BTS3104SDRATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,51 $0,84
Product Type Smart Low-Side Power Switch Low-side power switch (HITFET family)
Number of Channels 1 1
On-Resistance R_DS(on) (typ.) 11 mΩ —
Continuous Load Current 10 A —
Operating Voltage Range 3 V to 28 V —
Switch Technology N-channel vertical power MOSFET —
Input Type Logic-level CMOS compatible —
Encapsulado PG-TO252-5 (DPAK-5) PG-TO252-3-11 (DPAK)
Número de pines 5 (4 + Tab) —
Temperatura de unión de funcionamiento -40 °C to +150 °C —
ESD Protection (HBM) ±8 kV (output pin) —
AEC-Q100 Qualification Grade 1 qualified —
Integrated Protections Current limit, overtemperature shutdown, overvoltage clamp, ESD, ground-loss protection —
Diagnostic Output Open-drain status feedback pin —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Estado RoHS Compliant Compliant
Configuración de salida — Low-side, N-channel
Drain-to-Source Voltage (V_DS) Max — 60 V
Continuous Drain Current (I_D) — 2 A
On-State Resistance (R_DS(on)) Typ — [DATA_NEEDED: R_DS(on) value]
Input Logic Level — CMOS-compatible (active-high)
Supply Voltage (V_IN) — [DATA_NEEDED: V_IN range]
Standby Current — [DATA_NEEDED: standby current]
Rango de temperatura de funcionamiento — -40 C to +150 C
Protection Features — Overtemperature, overcurrent, short-circuit, overvoltage, ESD
Automotive Qualification — AEC-Q100 qualified
Sin halógenos — Yes
Nivel MSL — 1

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