BTS3256DAUMA1 vs BTH60801EPLXUMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BTS3256DAUMA1 von Infineon und BTH60801EPLXUMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BTS3256DAUMA1 BTH60801EPLXUMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $2,43 $1,74
Product Type Smart Low-Side Power Switch Smart High-Side Power Switch
Technology HITFET (N-channel vertical DMOS) —
Number of Channels 1 1
Ausgangskonfiguration Low-Side, 1:1 —
Continuous Drain Current 7.5 A —
Operating Voltage Range 4.5 V to 28 V (load supply Vbb) 4 V to 54 V
On-State Resistance (RDS(on)) 50 mOhm typical 80 mΩ (typical)
Overvoltage Clamp Integrated —
Thermisches Abschalten Yes (with auto-restart) —
Current Limitation Yes (integrated) Adjustable
Status Feedback Yes (open-drain status pin) —
ESD Protection Yes (per datasheet) —
Operating Temperature (Junction) -40 C to +150 C —
Gehäuse PG-TO252-5-11 (DPAK-5) PG-TSDSO-14 (exposed pad)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualified Yes (AEC-Q100) —
RoHS Compliance Compliant —
Topologie — High-Side N-Channel MOSFET with Charge Pump
Continuous Load Current — 2.5 A
Nominal Board Net — 48 V (PROFET+ 48V family)
Diagnostic Output — Current Sense (IS) pin
Input Logic — Active High and Active Low
Protection Features — Overtemperature, Overvoltage, Undervoltage, Short Circuit
Betriebstemperaturbereich — -40 °C to +150 °C (Tj)
Automotive Qualification — AEC-Q100 qualified
RoHS-Status — Compliant

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