BTS3256DAUMA1 vs BTH60801EPLXUMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: BTS3256DAUMA1 제조: Infineon 및 BTH60801EPLXUMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 BTS3256DAUMA1 BTH60801EPLXUMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $2.43 $1.74
Product Type Smart Low-Side Power Switch Smart High-Side Power Switch
Technology HITFET (N-channel vertical DMOS) —
Number of Channels 1 1
출력 구성 Low-Side, 1:1 —
Continuous Drain Current 7.5 A —
Operating Voltage Range 4.5 V to 28 V (load supply Vbb) 4 V to 54 V
On-State Resistance (RDS(on)) 50 mOhm typical 80 mΩ (typical)
Overvoltage Clamp Integrated —
열 차단 Yes (with auto-restart) —
Current Limitation Yes (integrated) Adjustable
Status Feedback Yes (open-drain status pin) —
ESD Protection Yes (per datasheet) —
Operating Temperature (Junction) -40 C to +150 C —
패키지 PG-TO252-5-11 (DPAK-5) PG-TSDSO-14 (exposed pad)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualified Yes (AEC-Q100) —
RoHS Compliance Compliant —
토폴로지 — High-Side N-Channel MOSFET with Charge Pump
Continuous Load Current — 2.5 A
Nominal Board Net — 48 V (PROFET+ 48V family)
Diagnostic Output — Current Sense (IS) pin
Input Logic — Active High and Active Low
Protection Features — Overtemperature, Overvoltage, Undervoltage, Short Circuit
동작 온도 범위 — -40 °C to +150 °C (Tj)
Automotive Qualification — AEC-Q100 qualified
RoHS 상태 — Compliant

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