BTS3256DAUMA1 vs BTH60801EPLXUMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BTS3256DAUMA1 por Infineon y BTH60801EPLXUMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BTS3256DAUMA1 BTH60801EPLXUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $2,43 $1,74
Product Type Smart Low-Side Power Switch Smart High-Side Power Switch
Technology HITFET (N-channel vertical DMOS) —
Number of Channels 1 1
Configuración de salida Low-Side, 1:1 —
Continuous Drain Current 7.5 A —
Operating Voltage Range 4.5 V to 28 V (load supply Vbb) 4 V to 54 V
On-State Resistance (RDS(on)) 50 mOhm typical 80 mΩ (typical)
Overvoltage Clamp Integrated —
Apagado térmico Yes (with auto-restart) —
Current Limitation Yes (integrated) Adjustable
Status Feedback Yes (open-drain status pin) —
ESD Protection Yes (per datasheet) —
Operating Temperature (Junction) -40 C to +150 C —
Encapsulado PG-TO252-5-11 (DPAK-5) PG-TSDSO-14 (exposed pad)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualified Yes (AEC-Q100) —
RoHS Compliance Compliant —
Topología — High-Side N-Channel MOSFET with Charge Pump
Continuous Load Current — 2.5 A
Nominal Board Net — 48 V (PROFET+ 48V family)
Diagnostic Output — Current Sense (IS) pin
Input Logic — Active High and Active Low
Protection Features — Overtemperature, Overvoltage, Undervoltage, Short Circuit
Rango de temperatura de funcionamiento — -40 °C to +150 °C (Tj)
Automotive Qualification — AEC-Q100 qualified
Estado RoHS — Compliant

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